择思达斯:小儿多动症的病因有哪些

  择思达斯:小儿多动症的病因有哪些 对于小儿多动症这个疾病,相信大家都不会陌生,目前社会上有些孩子一出生就患上了多动症,随着时间推移,小儿多动症的症状逐渐的显现,对于患儿和家庭都造成极大的影响。那么小儿多动症的病因有哪些呢?请看以下内容。

择思达斯:小儿多动症的病因有哪些

  轻微脑损伤

  母孕期、围生期及出生后各种原因所致的轻微脑损伤可能是部分患儿发生该障碍的原因,但没有一种脑损伤存在于所有该障碍患儿,也不是所有有此损伤的儿童都患该障碍,而且许多患儿并没有脑损伤的证据。这是常见的多动症的病因。

  神经生化因素

  有研究表明多动症的病因可能与中枢神经递质代谢障碍和功能异常有关,包括:多巴胺和肾上腺素更新率降低,多巴胺和去甲肾上腺素功能低下等。

  神经解剖学因素

  磁共振研究报道该障碍患儿存在胼胝体和尾状核体积的减小,功能核磁研究尚报道该障碍患儿尾状核、额区、前扣带回代谢减少,也是常见的多动症的病因。

  遗传因素

  目前研究表明该障碍与遗传因素有关,遗传度为0.75-0.91,遗传方式尚不清,可能为多基因遗传。分子遗传学研究表明多动症的病因和多巴胺受体基因的多态性有关。

  神经生理学因素

  该障碍患儿脑电图异常率高,主要为慢波活动增加,同样属于多动症的病因。脑电图功率谱分析发现慢波功率增加,α波功率减小、平均频率下降。提示该障碍患儿存在中枢神经系统成熟延迟或大脑皮质的觉醒不足。

  多动症到底该怎么办呢—经颅磁治疗仪

  随着技术的发展,具有连续可调重复刺激的经颅磁刺激(rTMS)出现,它是一种作用于大脑的神经调控技术,在临床神经疾病领域广泛应用。它是具有不同的刺激频率,高频是兴奋的作用,低频是抑制的作用,适用于对抗多动症。

  经颅磁刺激技术的原理:利用脉冲磁场作用于中枢神经在刺激部位产生感应电流,改变皮层神经细胞的膜电位,影响脑内代谢和神经元的活动,从而引起一系列生理生化反应。

  为了帮助更多普通家庭的患者,择思达斯经颅磁科研团队致力于对经颅磁刺激技术的研究,开发了家用版的经颅磁刺激仪,考虑患者经济、生活上的压力,在价格上对用户的优惠尽可能提高,帮助患者避免因看病带来的经济困扰。

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